| ： | CJCD2005 |
|---|---|
| ： | Trench MOS |
| ： | CJ |
| ： | - |
| ： | - |
| ： | DFNWB2×3-6L |
| ： | 0 |
| ： | - |
| TYPE | DESCRIPTION |
| Status | Active |
| Type | Dual-N |
| Process | Trench |
| ESD Yes/No | Yes |
| VDS V | 20 |
| VGS V | ±12 |
| ID A | 8 |
| VGS(TH) V | 0.4~1 |
| RDS(mΩ)@VGS 10V Typ | - |
| RDS(mΩ)@VGS 10V Max | - |
| RDS(mΩ)@VGS 4.5V Typ | 9 |
| RDS(mΩ)@VGS 4.5V Max | 12 |
| Package | DFNWB2×3-6L |
